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삼성전자는 2026년 2월 12일 **세계 최초로 HBM4(6세대 고대역폭 메모리)를 양산 출하**했습니다. HBM4는 **최선단 1c D램(10나노급 6세대) 공정**과 **4나노 파운드리 공정**을 적용해 JEDEC 표준(8Gbps)을 초과하는 **11.7Gbps 안정적 성능**을 구현하며, 최대 **13Gbps**까지 가능합니다. 이로 인해 엔비디아 등 주요 고객사의 품질 테스트를 통과하며 공급을 시작했으며, 이전 HBM3E에서 밀렸던 주도권을 되찾는 계기가 됐습니다. 삼성전자는 올해 **HBM 매출이 2025년 대비 3배 이상 증가**할 것으로 전망하며, 평택사업장 2단지 5라인(2028년 가동)을 HBM 핵심 생산 거점으로 확대할 계획입니다. 또한 HBM4E 샘플은 올해 하반기, 맞춤형 HBM은 내년부터 고객사별 샘플링을 시작합니다.